CP1H-XA40DR-A歐姆龍OMRON模塊作用

數(shù)字量輸出 DO：分為繼電器輸出（抗浪涌強(qiáng)、壽命相對(duì)短，典型機(jī)械壽命約10^5 次）、晶體管輸出（高速，典型響應(yīng)**≤1 ms**，適合直流負(fù)載/脈沖控制）、晶閘管輸出（適合交流負(fù)載，耐大電流場(chǎng)景）。

模擬量輸出 AO：輸出4–20 mA、0–10 V等連續(xù)信號(hào)，用于變頻器調(diào)速、調(diào)節(jié)閥開度等精密調(diào)節(jié)。

關(guān)鍵指標(biāo)與工程特性

負(fù)載能力與保護(hù)：?jiǎn)瓮ǖ莱Ｒ?.5–10 A（視類型與型號(hào)）；感性負(fù)載必須配置續(xù)流/吸收網(wǎng)絡(luò)，晶體管輸出常配反向二極管，繼電器/晶閘管回路注意浪涌抑制與觸點(diǎn)保護(hù)。

核心概念與定位

輸入模塊（DI/AI）：承擔(dān)“感知”職責(zé)，將現(xiàn)場(chǎng)設(shè)備的開關(guān)量/模擬量等信號(hào)采集并轉(zhuǎn)換為控制器可識(shí)別的電信號(hào)，典型來源包括按鈕、限位開關(guān)、傳感器等。

輸出模塊（DO/AO）：承擔(dān)“執(zhí)行”職責(zé)，將控制器內(nèi)部的數(shù)字/模擬控制指令轉(zhuǎn)換為現(xiàn)場(chǎng)可執(zhí)行的電壓、電流或開關(guān)動(dòng)作，典型負(fù)載包括繼電器、電磁閥、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等。

二者共同構(gòu)成PLC與外部世界的信號(hào)接口層，實(shí)現(xiàn)“感知—決策—執(zhí)行”的閉環(huán)控制

順序文件以這樣的方式來進(jìn)行組織，即文件中除了*個(gè)記錄之外的每個(gè)記錄都有一個(gè)*的先行記錄；除了*一個(gè)記錄之外，每個(gè)記錄均有一個(gè)*的后繼記錄。在建立文件時(shí)，按照WRITE語(yǔ)句執(zhí)行的順序就已經(jīng)建立起了這些先行后繼的關(guān)系。這些先行后繼的關(guān)系一旦建立，便不能改變。*例外的情況是在文件末尾增加記錄。

存取方式

在順序存取方式中，記錄存取的順序就是記錄*寫入的順序。

當(dāng)前記錄指針

當(dāng)前記錄指針是在本手冊(cè)中使用的概念實(shí)體。該概念實(shí)體有利于指明在某一給定文件中，下一個(gè)將要存取的記錄。當(dāng)前記錄指針的概念對(duì)由輸出方式打開的文件沒有意義。當(dāng)前記錄指針的置值只受OPEN和READ語(yǔ)句影響。

每一個(gè)I/O記錄長(zhǎng)度不能大于128字節(jié)。企圖使寫出的記錄大干127字節(jié)，都會(huì)使所寫記錄截?cái)噙^127字節(jié)之后的部分。如果記錄相當(dāng)長(zhǎng)，以致出內(nèi)部緩沖區(qū)的長(zhǎng)度，則會(huì)產(chǎn)生一個(gè)運(yùn)行時(shí)的錯(cuò)誤。

若要讀一個(gè)比127字節(jié)還要大的記錄，則會(huì)導(dǎo)致在內(nèi)部I/O緩沖區(qū)出現(xiàn)溢出，從而產(chǎn)生一個(gè)運(yùn)行時(shí)的I/O錯(cuò)誤。

TORTRAN的程序員有責(zé)任校驗(yàn)記錄的長(zhǎng)度是小于還是等于127字節(jié)。記錄長(zhǎng)度是I/O列表中元素的數(shù)量和數(shù)據(jù)類型的一個(gè)函數(shù)。

CP1H-XA40DR-A歐姆龍OMRON模塊作用

L2000-220VAC/L84...

CKUHZ-571-Z-304-...